Transistor numérique onsemi TSOT-23 Canal N, 6 broches En surface

Ce MOSFET N-Channel est produit à l'aide d'un processus Advanced Power Trench® optimisé pour rDS(on), la performance de commutation et la robustesse.

• Max rDS(on) = 109 mΩ à VGS = 10 V, ID = 2,7 A.
• Max rDS(on) = 176 mΩ à VGS = 6 V, ID = 2,1 A.
• Technologie de tranchée haute performance pour très faible rDS(on)
• Haute puissance et capacité de manutention de courant dans un boîtier de montage en surface largement utilisé
• Vitesse de commutation élevée
• Applications
• Ce produit est pour un usage général et adapté à de nombreuses applications différentes.