Transistor numérique onsemi SOIC, 8 broches En surface

Ces transistors à double effet de champ de puissance en mode d'amélioration de canal N et P sont fabriqués à l'aide d'un procédé PowerTrench avancé qui a été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état sous tension tout en conservant des performances de commutation supérieures. Ces dispositifs sont bien adaptés pour les applications à basse tension et alimentées par batterie où une faible perte de puissance en ligne et une commutation rapide sont nécessaires.

• Q1: Canal N
• 7,0 A, 30 V.
• RDS(ON) = 28 mΩ à VGS = 10 V.
• RDS(ON) = 40 mΩ à VGS = 4,5 V.
• Q2: P-Channel
• -5 A,-30 V
• RDS(ON) = 52 mΩ à VGS = -10 V
• RDS(ON) = 80 mΩ à VGS = -4,5 V.
• Vitesse de commutation élevée
• Haute puissance et capacité de manutention dans un boîtier de montage en surface largement utilisé
• Applications
• Ce produit est pour un usage général et adapté à de nombreuses applications différentes.