Documents Techniques
Spécifications
Brand
onsemiType d'alimentation commutée
Load Switch
Type du produit
CI commande d
Type de commutation Low/HIght
High Side
Résistance RDSon de commutation
100mΩ
Gamme de puissance
1W
Nombre d'entrées
1
Type d'interface
GPIO
Type de support
En surface
Tension d'alimentation minimum
2.5V
Type de Boitier
WLCSP
Tension d'alimentation maximum
5.5V
Nombre de broches
6
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
80°C
Courant de fonctionnement
2A
Taille
0.75mm
Longueur
3mm
Normes/homologations
JESD76
Série
FPF2495C
Standard automobile
No
Détails du produit
On Semiconductor Advanced Load Management Switch cible les applications qui exigent une solution hautement intégrée. Il déconnecte les charges alimentées par le rail d'alimentation c.c. (<6 V) avec des cibles de courant hors état rigoureuses et des capacités de charge élevée (<100 μF). Il se compose d'un commutateur MOSFET à faible impédance contrôlé par faible vitesse de balayage et de fonctions analogiques intégrées.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 941,28
€ 0,314 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
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Type du produit
CI commande d
Type de commutation Low/HIght
High Side
Résistance RDSon de commutation
100mΩ
Gamme de puissance
1W
Nombre d'entrées
1
Type d'interface
GPIO
Type de support
En surface
Tension d'alimentation minimum
2.5V
Type de Boitier
WLCSP
Tension d'alimentation maximum
5.5V
Nombre de broches
6
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
80°C
Courant de fonctionnement
2A
Taille
0.75mm
Longueur
3mm
Normes/homologations
JESD76
Série
FPF2495C
Standard automobile
No
Détails du produit
On Semiconductor Advanced Load Management Switch cible les applications qui exigent une solution hautement intégrée. Il déconnecte les charges alimentées par le rail d'alimentation c.c. (<6 V) avec des cibles de courant hors état rigoureuses et des capacités de charge élevée (<100 μF). Il se compose d'un commutateur MOSFET à faible impédance contrôlé par faible vitesse de balayage et de fonctions analogiques intégrées.