Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Ensemble complexe
Typ produktu
TVS Diode Array
Typ směru
Uni-Directionnel
Tension de claquage minimum Vbr
6V
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-363
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
5V
Nombre de broche
6
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
500W
Tension de pincement VC
20V
Température minimum de fonctionnement
80°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
28A
Protection ESD
Yes
Počet prvků na čip
2
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
0.9mm
Longueur
2mm
Normes/homologations
No
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Automobilový standard
No
Détails du produit
Ensembles de parasurtenseurs SLIC, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
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Spécifications
Brand
onsemiConfiguration de diode
Ensemble complexe
Typ produktu
TVS Diode Array
Typ směru
Uni-Directionnel
Tension de claquage minimum Vbr
6V
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
SOT-363
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
5V
Nombre de broche
6
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
500W
Tension de pincement VC
20V
Température minimum de fonctionnement
80°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
28A
Protection ESD
Yes
Počet prvků na čip
2
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
0.9mm
Longueur
2mm
Normes/homologations
No
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Automobilový standard
No
Détails du produit


