Diode Schottky et redresseur ROHM Schottky SiC Simple, 1200 V, , 30 A En surface 2 broches

La diode à barrière Schottky de ROHM est conçue pour des applications de haute performance, offrant une efficacité et une fiabilité supérieures dans les systèmes de conversion de puissance. Grâce à la technologie avancée du carbure de silicium, cette diode offre une tension inverse de crête de 650 V, ce qui la rend idéale pour les environnements exigeants dans des applications telles que l'automatisation des usines, le conditionnement d'énergie photovoltaïque et la recharge de véhicules électriques. Sa faible chute de tension directe et son temps de récupération négligeable garantissent une perte d'énergie minimale, améliorant ainsi les performances globales et la longévité de vos circuits. Les caractéristiques thermiques robustes supportent des courants nominaux élevés, complétés par une large distance de fuite, garantissant un fonctionnement fiable même à des températures élevées.

• La faible tension directe permet de réduire les pertes d'énergie pendant le fonctionnement
• Temps de récupération et courant négligeables pour un comportement de commutation efficace
• Conçu pour une tension inverse de crête de 650 V, ce qui garantit des performances robustes
• Avec une intensité nominale continue de 30 A, il convient aux applications à forte charge
• La capacité de courant de surtension permet de gérer les situations transitoires sans compromis
• La large distance de fuite d'au moins 5,10 mm améliore l'isolation et la fiabilité
• La capacité PEP jusqu'à 100 A et la manipulation de courant répétitif garantissent la sécurité fonctionnelle.