Documents Techniques
Spécifications
Brand
SemtechConfiguration de diode
Ensemble complexe
Type de produit
Matrice à diodes TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
114V
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
SOIC
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
102V
Nombre de broches
8
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
600W
Tension de pincement VC
165V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
3.6A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
7
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Courant de fuite inverse maximum
1μA
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
Documents Techniques
Spécifications
Brand
SemtechConfiguration de diode
Ensemble complexe
Type de produit
Matrice à diodes TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
114V
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
SOIC
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
102V
Nombre de broches
8
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
600W
Tension de pincement VC
165V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
3.6A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
7
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Courant de fuite inverse maximum
1μA
Détails du produit