Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Bipolar Transistor
Courant continu de Collecteur maximum Idc
10A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
SOT-223
Type de support
En surface
Configuration du transistor
Single
Polarité du transistor
NPN
Gain en courant DC minimum hFE
100
Tension Emetteur Base maximale VEBO
5V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Fréquence de transition maximale ft
1MHz
Dissipation de puissance maximum Pd
1.4W
Nombre de broches
4
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.7mm
Hauteur
1.8mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les 2STF1550 et 2STN1550 sont des transistors NPN fabriqués à l'aide de la nouvelle technologie "PB-HCD" (haute densité de courant bipolaire de puissance). Le transistor résultant affiche des performances de gain élevé exceptionnelles, couplées à une très faible tension de saturation.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 12,74
€ 0,51 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 12,74
€ 0,51 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,51 | € 12,74 |
| 250 - 600 | € 0,458 | € 11,46 |
| 625+ | € 0,376 | € 9,39 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Bipolar Transistor
Courant continu de Collecteur maximum Idc
10A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
SOT-223
Type de support
En surface
Configuration du transistor
Single
Polarité du transistor
NPN
Gain en courant DC minimum hFE
100
Tension Emetteur Base maximale VEBO
5V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Fréquence de transition maximale ft
1MHz
Dissipation de puissance maximum Pd
1.4W
Nombre de broches
4
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.7mm
Hauteur
1.8mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les 2STF1550 et 2STN1550 sont des transistors NPN fabriqués à l'aide de la nouvelle technologie "PB-HCD" (haute densité de courant bipolaire de puissance). Le transistor résultant affiche des performances de gain élevé exceptionnelles, couplées à une très faible tension de saturation.