Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Transistor Bipolaire
Courant continu de Collecteur maximum Idc
-2A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
-60V
Type de Boitier
SOT-23
Type de montage
En surface
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximale VCBO
-60V
Dissipation de puissance maximum Pd
500mW
Polarité du transistor
PNP
Gain en courant DC minimum hFE
45
Tension Emetteur Base maximale VEBO
-5V
Température d'utilisation minimum
-65°C
Nombre de broche
3
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
3.04mm
Hauteur
1.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Le dispositif dans un transistor PNP fabriqué à l'aide de la nouvelle technologie PB-HCD (haute densité de courant bipolaire de puissance). Le transistor résultant affiche des performances de gain élevé exceptionnelles, couplées à une très faible tension de saturation.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 420,77
€ 0,14 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 420,77
€ 0,14 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,14 | € 420,77 |
| 6000 - 6000 | € 0,127 | € 382,20 |
| 9000 - 21000 | € 0,111 | € 333,11 |
| 24000+ | € 0,108 | € 322,59 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Transistor Bipolaire
Courant continu de Collecteur maximum Idc
-2A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
-60V
Type de Boitier
SOT-23
Type de montage
En surface
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximale VCBO
-60V
Dissipation de puissance maximum Pd
500mW
Polarité du transistor
PNP
Gain en courant DC minimum hFE
45
Tension Emetteur Base maximale VEBO
-5V
Température d'utilisation minimum
-65°C
Nombre de broche
3
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
3.04mm
Hauteur
1.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Le dispositif dans un transistor PNP fabriqué à l'aide de la nouvelle technologie PB-HCD (haute densité de courant bipolaire de puissance). Le transistor résultant affiche des performances de gain élevé exceptionnelles, couplées à une très faible tension de saturation.