Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Transistor Bipolaire
Courant continu de Collecteur maximum Idc
8A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
450V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Configuration du transistor
Single
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Polarité du transistor
NPN
Gain en courant DC minimum hFE
12
Tension Emetteur Base maximale VEBO
12V
Température d'utilisation minimum
-65°C
Nombre de broche
3
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
30.6mm
Normes/homologations
No
Série
BUL1102E
Standard automobile
No
Détails du produit
Il s'agit d'un transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension fabriqué dans la technologie Planar multi-épitaxial. Il utilise une structure d'émetteur cellulaire avec raccordement de bord planaire pour améliorer les vitesses de commutation tout en maintenant un large RBSOA.
Grâce à une couche intermédiaire accrue, il est doté d'une robustesse intrinsèque qui permet au transistor de résister à un niveau de courant de collecteur élevé pendant les conditions de défaillance, sans utiliser la protection TransilTM généralement nécessaire dans les convertisseurs typiques pour les ballasts de lampe.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 45,70
€ 0,914 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,914 | € 45,70 |
| 500 - 1200 | € 0,892 | € 44,59 |
| 1250+ | € 0,868 | € 43,42 |
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Transistor Bipolaire
Courant continu de Collecteur maximum Idc
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Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Configuration du transistor
Single
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Polarité du transistor
NPN
Gain en courant DC minimum hFE
12
Tension Emetteur Base maximale VEBO
12V
Température d'utilisation minimum
-65°C
Nombre de broche
3
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
30.6mm
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No
Série
BUL1102E
Standard automobile
No
Détails du produit
Il s'agit d'un transistor de puissance NPN à commutation rapide haute tension fabriqué dans la technologie Planar multi-épitaxial. Il utilise une structure d'émetteur cellulaire avec raccordement de bord planaire pour améliorer les vitesses de commutation tout en maintenant un large RBSOA.
Grâce à une couche intermédiaire accrue, il est doté d'une robustesse intrinsèque qui permet au transistor de résister à un niveau de courant de collecteur élevé pendant les conditions de défaillance, sans utiliser la protection TransilTM généralement nécessaire dans les convertisseurs typiques pour les ballasts de lampe.
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