Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
75.6V
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
R-6
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
68V
Nombre de broche
2
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
5kW
Tension de pincement VC
157V
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
382A
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
9.1mm
Longueur
9.1mm
Diamètre
9.1mm
Normes/homologations
No
Largeur
9.1mm
Série
BZW50
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
10
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bande)
10
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
75.6V
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
R-6
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
68V
Nombre de broche
2
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
5kW
Tension de pincement VC
157V
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
382A
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
9.1mm
Longueur
9.1mm
Diamètre
9.1mm
Normes/homologations
No
Largeur
9.1mm
Série
BZW50
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Standard automobile
No
Détails du produit