Matrice à diodes TVS STMicroelectronics 4 3 V, 8 broches QFN
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Ensemble complexe
Type du produit
TVS Diode Array
Tension de claquage minimum Vbr
6V
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
QFN
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
3V
Nombre de broche
8
Température minimum de fonctionnement
80°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
3A
Protection ESD
Yes
Tension de pincement VC
18V
Počet prvků na čip
4
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2.05mm
Normes/homologations
No
Série
HSP061
Höhe
0.5mm
Automobilový standard
No
Courant de fuite inverse maximum
100nA
Détails du produit
Protection ESD pour lignes de données à haut débit
Transient Voltage Suppressors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,91
€ 0,783 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 3,91
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,783 | € 3,91 |
| 25 - 45 | € 0,739 | € 3,69 |
| 50 - 120 | € 0,70 | € 3,50 |
| 125 - 245 | € 0,658 | € 3,29 |
| 250+ | € 0,631 | € 3,15 |
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6V
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Surface
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QFN
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
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Nombre de broche
8
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80°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
3A
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Yes
Tension de pincement VC
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Počet prvků na čip
4
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2.05mm
Normes/homologations
No
Série
HSP061
Höhe
0.5mm
Automobilový standard
No
Courant de fuite inverse maximum
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