Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Courant de sortie
350mA
Nombre de broches
28
Temps de descente
50ns
Type de Boitier
SO-28
Type de driver
MOSFET
Nombre de sorties
5
Temps de montée
120ns
Tension d'alimentation minimum
20V
Nombre de drivers
1
Tension d'alimentation maximale
20V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
18.1mm
Taille
2.65mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
7.6mm
Type de montage
Through Hole
Standard automobile
No
Détails du produit
Le driver de grille haute tension à trois demi-ponts STMicroelectronics est un dispositif haute tension fabriqué avec la technologie hors ligne BCD6. Il s'agit d'une puce unique avec trois drivers de grille demi-pont pour MOSFET de puissance à canal N ou IGBT adaptés pour les applications triphasées.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 670,28
€ 1,67 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 1 670,28
€ 1,67 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 1,67 | € 1 670,28 |
| 2000 - 4000 | € 1,649 | € 1 649,29 |
| 5000+ | € 1,629 | € 1 629,46 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Courant de sortie
350mA
Nombre de broches
28
Temps de descente
50ns
Type de Boitier
SO-28
Type de driver
MOSFET
Nombre de sorties
5
Temps de montée
120ns
Tension d'alimentation minimum
20V
Nombre de drivers
1
Tension d'alimentation maximale
20V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
18.1mm
Taille
2.65mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
7.6mm
Type de montage
Through Hole
Standard automobile
No
Détails du produit
Le driver de grille haute tension à trois demi-ponts STMicroelectronics est un dispositif haute tension fabriqué avec la technologie hors ligne BCD6. Il s'agit d'une puce unique avec trois drivers de grille demi-pont pour MOSFET de puissance à canal N ou IGBT adaptés pour les applications triphasées.