IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 10 A, 600 V, 3 broches, TO-252 Surface
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
10A
Type du produit
IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
88W
Type de Boitier
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.95V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
6.6mm
Höhe
2.4mm
Normes/homologations
RoHS
Série
H
Energie
221mJ
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 30,84
€ 0,617 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 30,84
€ 0,617 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,617 | € 6,17 |
| 100 - 240 | € 0,554 | € 5,54 |
| 250 - 490 | € 0,50 | € 5,00 |
| 500+ | € 0,476 | € 4,76 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
10A
Type du produit
IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
88W
Type de Boitier
TO-252
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.95V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
6.6mm
Höhe
2.4mm
Normes/homologations
RoHS
Série
H
Energie
221mJ
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.