Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
200A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
600W
Type de Boitier
ISOTOP
Type de support
Serre-joints
Type de canal
Type N
Nombre de broches
4
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
38.2mm
Taille
12.2mm
Normes/homologations
ECOPACK, JESD97
Série
Powermesh
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 45,72
€ 22,53 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
€ 45,72
€ 22,53 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
2
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 22,53 |
| 100+ | € 22,27 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
200A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
600W
Type de Boitier
ISOTOP
Type de support
Serre-joints
Type de canal
Type N
Nombre de broches
4
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
38.2mm
Taille
12.2mm
Normes/homologations
ECOPACK, JESD97
Série
Powermesh
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.