IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 29 A, 600 V 3.8 μs, 3 broches, TO-220FP Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
29A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
80W
Type de Boitier
TO-220FP
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
3.8μs
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.75V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
10.4mm
Longueur
30.6mm
Normes/homologations
RoHS
Série
Low Drop
Energie
8mJ
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 55,04
€ 1,101 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
€ 55,04
€ 1,101 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
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Paquet de production (Tube)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,101 | € 11,01 |
| 100 - 240 | € 1,087 | € 10,87 |
| 250 - 490 | € 1,074 | € 10,74 |
| 500+ | € 1,062 | € 10,62 |
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IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
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Type de Boitier
TO-220FP
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
3.8μs
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.75V
Maximální provozní teplota
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Höhe
10.4mm
Longueur
30.6mm
Normes/homologations
RoHS
Série
Low Drop
Energie
8mJ
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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