IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 60 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-3PF
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
60A
Type du produit
IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
260W
Type de Boitier
TO-3PF
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.7mm
Hauteur
26.7mm
Normes/homologations
ECOPACK
Série
V
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 6,75
€ 3,373 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,373 | € 6,75 |
| 10 - 18 | € 3,205 | € 6,41 |
| 20 - 48 | € 2,888 | € 5,78 |
| 50 - 98 | € 2,599 | € 5,20 |
| 100+ | € 2,46 | € 4,92 |
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Type N
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3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
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Température minimum d'utilisation
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Longueur
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Hauteur
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V
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No
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IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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