IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 20 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-220 Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
20A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Taille
9.15mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 40,78
€ 0,816 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 40,78
€ 0,816 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,816 | € 40,78 |
| 100 - 200 | € 0,795 | € 39,74 |
| 250 - 450 | € 0,774 | € 38,70 |
| 500+ | € 0,754 | € 37,71 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
20A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Taille
9.15mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.