IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 20 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-220 Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
20A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Longueur
10.4mm
Taille
9.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,55
€ 1,71 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,71 | € 8,55 |
| 25 - 45 | € 1,624 | € 8,12 |
| 50 - 120 | € 1,566 | € 7,83 |
| 125 - 245 | € 1,532 | € 7,66 |
| 250+ | € 1,492 | € 7,46 |
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Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
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Type de Boitier
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Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
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Température de fonctionnement minimum
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No
Longueur
10.4mm
Taille
9.15mm
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No
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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