Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsArchived Specification Attributes
Type de produit : IGBT<BR/>Courant continu de Collecteur maximum (lc) : 40 A<BR/>Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo) : 650 V<BR/>Nombre de broches : 3<BR/>Type de Boitier : TO-220<BR/>Nombre de transistors : 1<BR/>Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO) : 20 V
Pays d'origine
China
Détails du produit
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
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