Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
40A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Nombre de transistors
1
Type de Boitier
TO-220
Nombre de broches
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Pays d'origine
China
Détails du produit
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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China
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The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
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