Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
40A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Nombre de transistors
1
Type de Boitier
TO-220
Nombre de broches
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Pays d'origine
China
Détails du produit
La série IGBT 650 V HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de terrain de porte de tranchée propriétaire avancée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement du VCE(sat) à des valeurs de courant faibles, ainsi qu'en termes de réduction de l'énergie de commutation.
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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La série IGBT 650 V HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de terrain de porte de tranchée propriétaire avancée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement du VCE(sat) à des valeurs de courant faibles, ainsi qu'en termes de réduction de l'énergie de commutation.
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