Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
145A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
441W
Type de Boitier
TO-247-4
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
4
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
UPC
Série
STG
Standard automobile
No
Détails du produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite. Le résultat est un produit spécialement conçu pour maximiser l'efficacité pour une large gamme d'applications rapides.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 159,70
€ 5,323 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 159,70
€ 5,323 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 5,323 | € 159,70 |
| 150+ | € 4,989 | € 149,66 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
145A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
441W
Type de Boitier
TO-247-4
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
4
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
UPC
Série
STG
Standard automobile
No
Détails du produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite. Le résultat est un produit spécialement conçu pour maximiser l'efficacité pour une large gamme d'applications rapides.