Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
40A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
167W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
RoHS
Série
Trench Gate Field Stop
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 26,65
€ 2,343 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 26,65
€ 2,343 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 2,343 | € 4,69 |
| 100 - 198 | € 2,092 | € 4,18 |
| 200+ | € 1,80 | € 3,60 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
40A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
167W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broche
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
RoHS
Série
Trench Gate Field Stop
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.