IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 80 A, 650 V 1 MHz, 3 broches, TO-247 Traversant
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
80A
Typ produktu
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
283W
Type de Boitier
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.3V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
15.75mm
Höhe
20.15mm
Normes/homologations
RoHS
Série
H
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 7,92
€ 3,962 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 7,92
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 2 | € 3,962 | € 7,92 |
| 4+ | € 3,766 | € 7,53 |
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Type de Boitier
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Type N
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3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
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Température minimum de fonctionnement
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Longueur
15.75mm
Höhe
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RoHS
Série
H
Automobilový standard
No
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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