IGBT, STGW60V60DF, , 60 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
60A
Type de produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
375W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Séries
Trench Gate Field Stop
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 20,08
€ 4,017 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 4,017 | € 20,08 |
| 10 - 20 | € 3,816 | € 19,08 |
| 25 - 45 | € 3,437 | € 17,18 |
| 50+ | € 3,416 | € 17,08 |
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IGBT
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Type de montage
Through Hole
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Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
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Largeur
5.15 mm
Taille
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Longueur
15.75mm
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No
Séries
Trench Gate Field Stop
Standard automobile
No
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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