Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
469W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
Lead (Pb) Free package, ECOPACK
Série
H
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,28
€ 5,28 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 5,28
€ 5,28 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,28 |
| 10 - 99 | € 4,29 |
| 100 - 599 | € 4,23 |
| 600 - 1199 | € 4,19 |
| 1200+ | € 4,14 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
469W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
20.15mm
Normes/homologations
Lead (Pb) Free package, ECOPACK
Série
H
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.