Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
50A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
167W
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.1V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS
Largeur
21.1mm
Série
STG
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 69,47
€ 2,316 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 69,47
€ 2,316 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 270 | € 2,316 | € 69,47 |
| 300 - 720 | € 2,258 | € 67,75 |
| 750+ | € 2,20 | € 66,00 |
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STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.1V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
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Normes/homologations
RoHS
Largeur
21.1mm
Série
STG
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
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