Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
30A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
260W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
UPC
Série
STG
Standard automobile
No
Détails du produit
L'IGBT STMicroelectronics série HB haut débit développé à l'aide d'une structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ à porte à tranchée. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représente un compromis optimal entre la conduction et la perte de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 58,09
€ 1,936 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 58,09
€ 1,936 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 1,936 | € 58,09 |
| 150 - 270 | € 1,912 | € 57,35 |
| 300+ | € 1,888 | € 56,65 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
30A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
260W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
1MHz
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
UPC
Série
STG
Standard automobile
No
Détails du produit
L'IGBT STMicroelectronics série HB haut débit développé à l'aide d'une structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ à porte à tranchée. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représente un compromis optimal entre la conduction et la perte de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence.