Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
IGBT
Courant continu de Collecteur maximum lc
60A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
650V
Dissipation de puissance maximum Pd
108W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
4
Vitesse de découpage
1MHz
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.05V
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
5.1mm
Normes/homologations
UPC
Série
STG
Longueur
15.9mm
Standard automobile
No
Détails du produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 108,09
€ 3,603 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 108,09
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 3,603 | € 108,09 |
| 150 - 270 | € 3,513 | € 105,40 |
| 300+ | € 3,416 | € 102,49 |
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STMicroelectronicsType du produit
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108W
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
4
Vitesse de découpage
1MHz
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.05V
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
5.1mm
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UPC
Série
STG
Longueur
15.9mm
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La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
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