Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
60A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
260W
Type de Boitier
TO-3P
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Série
HB
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,18
€ 3,091 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 6,18
€ 3,091 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,091 | € 6,18 |
| 20 - 98 | € 2,992 | € 5,98 |
| 100 - 198 | € 2,899 | € 5,80 |
| 200+ | € 2,508 | € 5,02 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum lc
60A
Type du produit
IGBT
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
600V
Dissipation de puissance maximum Pd
260W
Type de Boitier
TO-3P
Type de support
Through Hole
Type de canal
Type N
Nombre de broches
3
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO
±20 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Série
HB
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.