IGBT STMicroelectronics, canal Type N, 150 A, 1200 V, 1 MHz, 3 broches , Max247, montage Traversant

Le STMicroelectronics IGBT a été développé grâce à une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ de type tranchée. Ce dispositif fait partie de la série H des IGBT qui représentent un compromis parfait entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs à haute fréquence de commutation. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

• Température de jonction maximale TJ = 175 °C
• 5 μs de résistance aux courts-circuits
• VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
• Distribution étroite des paramètres
• Coefficient de température VCE(sat) positif
• Faible résistance thermique
• Diode antiparallèle à récupération ultra rapide