Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Courant de sortie
18.5A
Nombre de broches
3
Type de Boitier
TO-220
Temps de descente
40ns
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
27ns
Tension d'alimentation minimum
3V
Tension d'alimentation maximum
30V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
34.95mm
Normes/homologations
UPC
Type de support
Through Hole
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh™ M2. Cette technologie MOSFET de puissance haute tension révolutionnaire et robuste en avalanche est basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Il en résulte une réduction drastique de la résistance à l'état passant et une très faible charge de grille pour les applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 206,80
€ 4,136 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 206,80
€ 4,136 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 4,136 | € 206,80 |
| 250+ | € 3,876 | € 193,80 |
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STMicroelectronicsType du produit
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TO-220
Temps de descente
40ns
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
27ns
Tension d'alimentation minimum
3V
Tension d'alimentation maximum
30V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
34.95mm
Normes/homologations
UPC
Type de support
Through Hole
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh™ M2. Cette technologie MOSFET de puissance haute tension révolutionnaire et robuste en avalanche est basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Il en résulte une réduction drastique de la résistance à l'état passant et une très faible charge de grille pour les applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
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