Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Série
STripFET II
Type de Boitier
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
16mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
49nC
Maximální provozní teplota
85°C
Normes/homologations
No
Höhe
9.15mm
Longueur
10.4mm
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Série
STripFET II
Type de Boitier
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
16mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
49nC
Maximální provozní teplota
85°C
Normes/homologations
No
Höhe
9.15mm
Longueur
10.4mm
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


