Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Série
STripFET II
Type de Boitier
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
16mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
49nC
Maximální provozní teplota
85°C
Normes/homologations
No
Höhe
9.15mm
Longueur
10.4mm
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 45,81
€ 0,916 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 45,81
€ 0,916 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Série
STripFET II
Type de Boitier
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
16mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
49nC
Maximální provozní teplota
85°C
Normes/homologations
No
Höhe
9.15mm
Longueur
10.4mm
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


