Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode Schottky
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
TO-220AC
Courant continu direct maximum If
10A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Single
Série
STPSC10065
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
130μA
Tension directe maximale Vf
1.65V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
48A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
Normes/homologations
ECOPACK, UL94 V0
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
La diode SiC est une diode de puissance Schottky à très hautes performances. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le matériau à grand écart de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky avec une valeur nominale de 650 V. Grâce à la structure Schottky, aucune reprise n'apparaît à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement capacitif minimal à la mise hors tension est indépendant de la température. Particulièrement adaptée pour une utilisation dans les applications PFC, cette diode SiC de ST améliore les performances dans les conditions de commutation difficiles. Sa haute capacité de surtension directe garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 93,56
€ 1,871 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 1,871 | € 93,56 |
| 250 - 450 | € 1,824 | € 91,22 |
| 500+ | € 1,774 | € 88,71 |
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Tension inverse de crête répétitive Vrrm
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Configuration de diode
Single
Série
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Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
130μA
Tension directe maximale Vf
1.65V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
48A
Température d'utilisation maximum
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Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
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Largeur
4.6mm
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La diode SiC est une diode de puissance Schottky à très hautes performances. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le matériau à grand écart de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky avec une valeur nominale de 650 V. Grâce à la structure Schottky, aucune reprise n'apparaît à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement capacitif minimal à la mise hors tension est indépendant de la température. Particulièrement adaptée pour une utilisation dans les applications PFC, cette diode SiC de ST améliore les performances dans les conditions de commutation difficiles. Sa haute capacité de surtension directe garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires
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