Diode STMicroelectronics Simple, 1200 V, , 10 A En surface 2 broches TO-263

La diode Sic STMicroelectronics 10 A, 1 200 V est une diode Schottky de puissance à très hautes performances. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le matériau d'écart à large bande permet la conception d'une structure de diode Schottky avec une valeur nominale de 1 200 V. Grâce à la structure Schottky, aucune reprise n'apparaît à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement capacitif minimal à la mise hors tension est indépendant de la température. Logée dans le D2PAK HV, cette diode est parfaitement adaptée pour une utilisation dans les applications PFC, en OBC, c.c./c.c. pour EV, ce qui facilite la conformité à la norme CEI 60664-1. Le STPSC10H12G2Y-TR augmente les performances dans des conditions de commutation difficiles. Sa haute capacité de surtension directe garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires.

• Certifié AEC-Q101
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Périphérie haute tension robuste
• Compatible PPAP
• TJ d'utilisation de -40 à +175 °C
• Faible VF