Diode STMicroelectronics Diode Schottky Simple, 650 V, , 12 A Traversant 2 broches TO-220AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
12A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Single
Série
STPSC12065-Y
Type de Diode
Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température minimum de fonctionnement
80°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
220A
Maximální dopředné napětí Vf
1.65V
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
Non
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
• Faible impact de CEM, simplifie la certification et réduit le temps de mise sur le marché
• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
Approvals
AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,12
€ 2,559 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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Diode
Typ montáže
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TO-220
Courant continu direct maximum If
12A
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650V
Configuration de diode
Single
Série
STPSC12065-Y
Type de Diode
Schottky
Nombre de broche
2
Courant inverse crête Ir
1mA
Température minimum de fonctionnement
80°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
220A
Maximální dopředné napětí Vf
1.65V
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
Non
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium pour l'automobile, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances. Ces pièces, avec le suffixe -Y dans la référence, sont de qualité automobile, conforme à la norme AEC-Q101.
• Le haut rendement ajoute de la valeur à un convertisseur de puissance
• Réduit la taille et le coût d'un convertisseur de puissance
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• Robustesse élevée naturelle garantissant une fiabilité très élevée
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Capacité de surtension directe élevée
• Compatible PPAP
• Composant conforme à ECOPACK 2
• Certifié AEC-Q101
Codes de produit RS
110-6562 STPSC10H065GY-TR, diode Schottky SiC D²PAK 10 A, 650 V
124-1124 STPSC12065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 12 A, 650 V
124-1127 STPSC20065DY, diode Schottky SiC TO-220AC 20 A, 650 V
124-1128 STPSC20065WY, diode Schottky SiC DO-247 20 A, 650 V
124-1129 STPSC40065JCM, double diode Schottky SiC TO-247 20 A, 650 V
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AEC-Q101
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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