Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Schottky Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
20A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Série
STPSC
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
800μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
850A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
4.6mm
Largeur
10.4mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode SiC de STMicroelectronics est un redresseur Schottky de puissance ultra-haute performance. Il est fabriqué à partir d'un substrat de carbure de silicium. Le matériau à large écartement de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 650 V. Grâce à la construction Schottky, aucune récupération n'est affichée à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement de coupure capacitif minimal est indépendant de la température.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,89
€ 3,89 Each (hors TVA)
1
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Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220
Courant continu direct maximum If
20A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Série
STPSC
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
800μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
850A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
4.6mm
Largeur
10.4mm
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode SiC de STMicroelectronics est un redresseur Schottky de puissance ultra-haute performance. Il est fabriqué à partir d'un substrat de carbure de silicium. Le matériau à large écartement de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 650 V. Grâce à la construction Schottky, aucune récupération n'est affichée à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement de coupure capacitif minimal est indépendant de la température.