Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
Through Hole
Type du produit
Diode Schottky et de redressement
Courant continu direct maximum If
20A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Série
STPSC2
Configuration de diode
2 paires à cathode commune
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
200μA
Tension directe maximale Vf
1.45V
Temps de recouvrement inverse crête trr
0ns
Normes/homologations
RoHS, AEC‑Q101, ECOPACK2, PPAP
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode SiC de STMicroelectronics, moulée dans un boîtier DO-247 LL avec de longs fils, est un redresseur Schottky de puissance à très hautes performances. Il est fabriqué à partir d'un substrat en carbure de silicium, ce qui permet d'obtenir une structure Schottky à faible VF avec une tension nominale de 650 V. Grâce à sa conception Schottky, il n'y a pas de récupération à l'arrêt et la sonnerie est minimale. Son comportement capacitif à l'arrêt est très faible et reste stable à travers les variations de température.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 38,83
€ 1,294 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Configuration de diode
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Standard automobile
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Pays d'origine
China
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La diode SiC de STMicroelectronics, moulée dans un boîtier DO-247 LL avec de longs fils, est un redresseur Schottky de puissance à très hautes performances. Il est fabriqué à partir d'un substrat en carbure de silicium, ce qui permet d'obtenir une structure Schottky à faible VF avec une tension nominale de 650 V. Grâce à sa conception Schottky, il n'y a pas de récupération à l'arrêt et la sonnerie est minimale. Son comportement capacitif à l'arrêt est très faible et reste stable à travers les variations de température.
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