Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Diode Schottky et de redressement
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
DO-247 LL
Courant continu direct maximum If
20A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Configuration de diode
Single
Série
STPS
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
1100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
41.2mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode SiC de STMicroelectronics est disponible en DO-247 avec des câbles longs et est un redresseur Schottky à puissance ultra-haute performance. Il est fabriqué à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le large matériau d'écart de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 1 200 V. En raison de la construction schottky, aucune récupération n'est affichée pendant l'arrêt et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement d'arrêt capacitif minimal est indépendant de la température.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 195,96
€ 6,532 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 195,96
€ 6,532 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 6,532 | € 195,96 |
| 150+ | € 6,206 | € 186,19 |
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Courant continu direct maximum If
20A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Configuration de diode
Single
Série
STPS
Type de Diode
Diode de redressement
Nombre de broches
2
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
1100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.9mm
Hauteur
41.2mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode SiC de STMicroelectronics est disponible en DO-247 avec des câbles longs et est un redresseur Schottky à puissance ultra-haute performance. Il est fabriqué à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le large matériau d'écart de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 1 200 V. En raison de la construction schottky, aucune récupération n'est affichée pendant l'arrêt et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement d'arrêt capacitif minimal est indépendant de la température.
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