Diode Schottky STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 30 A Traversant 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Schottky Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
HU3PAK
Courant continu direct maximum If
30A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Série
STPSC
Configuration de diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broche
7
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
1100A
Courant inverse crête Ir
1200μA
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
11.9mm
Taille
3.6mm
Standard automobile
AEC-Q101
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€ 2 790,95
€ 4,652 Each (On a Reel of 600) (hors TVA)
600
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Silicon Carbide Schottky Diode
Type de Diode
SiC Schottky
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7
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
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