Diode Schottky STMicroelectronics Schottky SiC Diode Schottky en carbure de silicium, 650 V, , 30 A Traversant 7 broches

Brand

Type du produit

Diode Schottky

Type de support

Through Hole

Type de Boitier

HU3PAK

Courant continu direct maximum If

1A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

650V

Configuration de diode

Silicon Carbide Schottky Diode

Série

STPSC

Type de Diode

SiC Schottky

Nombre de broches

7

Courant inverse crête Ir

1200μA

Tension directe maximale Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

1100A

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

11.9mm

Taille

3.6mm

Standard automobile

AEC-Q101