Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Diode Schottky et de redressement
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-247
Courant continu direct maximum If
40A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Configuration de diode
Dual
Série
STPS
Type de Diode
Rectifier Diode
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimale
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
140A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
34.95mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode en carbure de silicium Schottky de STMicroelectronics disponible dans le TO-247 est un redresseur Schottky de puissance ultra-haute performance. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le matériau à grand écart de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 1 200 V.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,35
€ 16,35 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 16,35
€ 16,35 Each (hors TVA)
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 16,35 |
| 10 - 99 | € 10,59 |
| 100+ | € 10,46 |
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STMicroelectronicsType du produit
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Type de montage
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Type de Boitier
TO-247
Courant continu direct maximum If
40A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Configuration de diode
Dual
Série
STPS
Type de Diode
Rectifier Diode
Nombre de broche
3
Température de fonctionnement minimale
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
140A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
34.95mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode en carbure de silicium Schottky de STMicroelectronics disponible dans le TO-247 est un redresseur Schottky de puissance ultra-haute performance. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le matériau à grand écart de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 1 200 V.
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