Non Diode STMicroelectronics Diode Schottky Simple, 650 V, , 22 A 2 broches TO-220AC
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Through Hole
Type de Boitier
TO-220AC
Courant continu direct maximum If
22A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Séries
STPSC6H065
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
60μA
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
400A
Tension directe maximale Vf
1.75V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.9mm
Longueur
10.4mm
Diamètre
3.85 mm
Normes/homologations
V0, Epoxy meets UL94
Standard automobile
No
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances.
• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Dédié aux applications PFC
• Capacité de surtension élevée
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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€ 12,77
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Single
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Diode Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
60μA
Température minimum de fonctionnement
-40°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
400A
Tension directe maximale Vf
1.75V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.9mm
Longueur
10.4mm
Diamètre
3.85 mm
Normes/homologations
V0, Epoxy meets UL94
Standard automobile
No
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, STMicroelectronics
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• Récupération inverse nulle ou négligeable
• Comportement de commutation indépendant de la température
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