Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type de boîtier
D-PAK
Courant direct continu maximum
8A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Common Cathode
Type de redressement
Switching
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
2
Temps de recouvrement inverse crête
25ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
50A
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
CMS
Type de boîtier
D-PAK
Courant direct continu maximum
8A
Tension inverse de crête répétitive
200V
Configuration de diode
Common Cathode
Type de redressement
Switching
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
2
Temps de recouvrement inverse crête
25ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
50A