Jonction au silicium Non STMicroelectronics, Simple, 8 A 200 V, 3 broches, TO-252
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type du produit
Jonction au silicium
Maximální dopředný proud If
8A
Sous type
Silikonový přechod
Typ montáže
Surface
Type de Boitier
TO-252
Nombre de broche
3
Špičková doba zpětného zotavení trr
17ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Maximální dopředné napětí Vf
1.05V
Température minimum de fonctionnement
71°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
100A
Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
6.6mm
Höhe
2.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, STMicroelectronics
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 18,83
€ 0,377 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 18,83
€ 0,377 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,377 | € 9,41 |
| 125 - 225 | € 0,338 | € 8,46 |
| 250+ | € 0,337 | € 8,43 |
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Surface
Type de Boitier
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Nombre de broche
3
Špičková doba zpětného zotavení trr
17ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Maximální dopředné napětí Vf
1.05V
Température minimum de fonctionnement
71°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
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Maximální provozní teplota
85°C
Longueur
6.6mm
Höhe
2.4mm
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No
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No
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