Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type du produit
Silicon Junction
Courant direct maximum If
8A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
En surface
Type de Boitier
TO-252
Nombre de broches
3
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Temps de recouvrement inverse crête trr
17ns
Tension directe maximale Vf
1.05V
Température minimum de fonctionnemen
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
6.2mm
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 24,03
€ 0,439 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 24,03
€ 0,439 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 250 - 600 | € 0,439 | € 10,96 |
| 625+ | € 0,365 | € 9,12 |
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8A
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En surface
Type de Boitier
TO-252
Nombre de broches
3
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Temps de recouvrement inverse crête trr
17ns
Tension directe maximale Vf
1.05V
Température minimum de fonctionnemen
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
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