Jonction au silicium Non STMicroelectronics, Simple, 8 A 200 V, 3 broches, TO-252
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant direct maximum If
8A
Configuration de diode
Single
Type de produit
Jonction au silicium
Type de montage
Surface
Sous type
Silicon Junction
Type de Boitier
TO-252
Nombre de broches
3
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Temps de recouvrement inverse crête trr
17ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
1.05V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
6.2 mm
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, STMicroelectronics
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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€ 18,59
€ 0,372 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 18,59
€ 0,372 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 0,372 | € 9,29 |
| 125 - 225 | € 0,334 | € 8,35 |
| 250+ | € 0,333 | € 8,32 |
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Surface
Sous type
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Type de Boitier
TO-252
Nombre de broches
3
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Temps de recouvrement inverse crête trr
17ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
1.05V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Température d'utilisation maximum
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Normes/homologations
No
Largeur
6.2 mm
Longueur
6.6mm
Hauteur
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No
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