Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type de produit
Silicon Junction
Courant direct maximum If
8A
Sous type
Jonction au silicium
Type de support
Surface
Type de Boitier
TO-263
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 29,34
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Surface
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TO-263
Nombre de broches
3
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Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
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No
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