Jonction au silicium Non STMicroelectronics, Simple, 8 A 1200 V, 3 broches, TO-263
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
8A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Surface
Type de Boitier
TO-263
Nombre de broches
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température minimum d'utilisation
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
9.35 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 4 à 9 A, STMicroelectronics
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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€ 4,71
€ 0,942 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 4,71
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,942 | € 4,71 |
| 10+ | € 0,896 | € 4,48 |
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3
Temps de recouvrement inverse crête trr
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Tension inverse de crête répétitive Vrrm
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Tension directe maximale Vf
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Température minimum d'utilisation
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Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
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Longueur
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Hauteur
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