Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsConfiguration de diode
Single
Type du produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
8A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
En surface
Type de Boitier
TO-263
Nombre de broche
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température de fonctionnement minimale
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,25
€ 1,251 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 6,25
€ 1,251 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,251 | € 6,25 |
| 50 - 245 | € 1,017 | € 5,08 |
| 250 - 495 | € 0,776 | € 3,88 |
| 500+ | € 0,687 | € 3,44 |
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Sous type
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Type de montage
En surface
Type de Boitier
TO-263
Nombre de broche
3
Temps de recouvrement inverse crête trr
50ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Tension directe maximale Vf
2.2V
Température de fonctionnement minimale
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
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No
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