Transistor STMicroelectronics, 25 A NPN, 100 V, 3 broches, TO-247 Simple

Name: Transistor STMicroelectronics, 25 A NPN, 100 V, 3 broches, TO-247 Simple
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2513564
Availability: LimitedAvailability

N° de stock RS: 251-3564Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: TIP35C

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Documents Techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

Transistor

Courant continu de Collecteur maximum Idc

25A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

100V

Type de Boitier

TO-247

Type de support

Through Hole

Configuration du transistor

Single

Tension Collecteur Base maximale VCBO

100V

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Polarité du transistor

NPN

Gain en courant DC minimum hFE

Tension Emetteur Base maximale VEBO

Fréquence de transition maximale ft

3MHz

Nombre de broches

Température d'utilisation maximum

150°C

Série

TIP35C

Hauteur

34.95mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

Standard automobile

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistors de puissance complémentaires Tip35C/TIP36C.

ST Microelectronics présente sa série TIP35C/TIP36C de transistors de puissance complémentaires. Ce type de transistor est conçu pour l'amplification et la commutation de puissance à usage général, telles que les niveaux de sortie ou de driver. La série TIP35C/TIP36C est spécialement fabriquée en technologie planaire avec une disposition de l'îlot de base, ce qui donne aux transistors des performances de gain exceptionnellement élevées tout en ayant une très faible tension de saturation.

Caractéristiques et avantages

Faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur

Transistors NPN - PNP complémentaires

Applications

Manutention générale

Amplificateur audio

Régulateurs de commutation, convertisseurs et amplificateurs de puissance

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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€ 2,40 Each (hors TVA)

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Through Hole

Configuration du transistor

Single

Tension Collecteur Base maximale VCBO

100V

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Polarité du transistor

NPN

Gain en courant DC minimum hFE

Tension Emetteur Base maximale VEBO

Fréquence de transition maximale ft

3MHz

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Température d'utilisation maximum

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Série

TIP35C

Hauteur

34.95mm

Longueur

15.75mm

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Pays d'origine

China

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Transistors de puissance complémentaires Tip35C/TIP36C.

Caractéristiques et avantages

Faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur

Transistors NPN - PNP complémentaires

Applications

Manutention générale

Amplificateur audio

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