Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Operational Amplifier
Type de montage
En surface
Type de Boitier
SO-8
Nombre de voies
2
Nombre de broches
8
GBP - Produit gain bande typique
1MHz
Tension d'alimentation minimale
6V
Tension maximale d'alimentation
36V
Courant de polarisation d'entrée
200 pA
Température minimum de fonctionnemen
0°C
Vos - tension d'offset de l'entrée
3 mV
Vitesse de balayage
3.5V/μs
Température d'utilisation maximum
70°C
Hauteur
1.75mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
RoHS
Largeur
4mm
Série
TL062A
Standard automobile
No
Courant d'entrée de décalage
100 pA
Détails du produit
Le dispositif OP-AMP STMicroelectronics est un amplificateur opérationnel simple d'entrée JFET haute vitesse intégrant des transistors JFET et bipolaires haute tension bien adaptés dans un circuit intégré monolithique.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,10
€ 0,41 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 4,10
€ 0,41 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,41 | € 4,10 |
| 50 - 90 | € 0,391 | € 3,91 |
| 100 - 240 | € 0,351 | € 3,51 |
| 250 - 490 | € 0,316 | € 3,16 |
| 500+ | € 0,301 | € 3,01 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Operational Amplifier
Type de montage
En surface
Type de Boitier
SO-8
Nombre de voies
2
Nombre de broches
8
GBP - Produit gain bande typique
1MHz
Tension d'alimentation minimale
6V
Tension maximale d'alimentation
36V
Courant de polarisation d'entrée
200 pA
Température minimum de fonctionnemen
0°C
Vos - tension d'offset de l'entrée
3 mV
Vitesse de balayage
3.5V/μs
Température d'utilisation maximum
70°C
Hauteur
1.75mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
RoHS
Largeur
4mm
Série
TL062A
Standard automobile
No
Courant d'entrée de décalage
100 pA
Détails du produit
Le dispositif OP-AMP STMicroelectronics est un amplificateur opérationnel simple d'entrée JFET haute vitesse intégrant des transistors JFET et bipolaires haute tension bien adaptés dans un circuit intégré monolithique.